• 研究内容：ヒトの五感を超越するハイパーセンシング技術のデバイス応用・システム開発
• 応用分野：フィジカルAI／インフラ診断／FA・半導体製造装置／医療・ヘルスケア

学術論文

• H.Hagino, M.Kawaguchi, S.Nozaki, A.Mochida, T.Kano, H.Yamaguchi, M.Fukakusa, S.Takigawa, T.Koga and T.Katayama, ""A High Brightness GaN Laser Array with Lateral-Corrugated Waveguides"", IEEE Photonics Tech. Lett. 34, 779(2022).
• H.Hagino, M.Kawaguchi, S.Nozaki, A.Mochida, T.Kano, S.Takigawa, T.Katayama and T.Tanaka, ""High-Power InGaN Laser Array with Advanced Lateral-Corrugated Waveguides"", IEEE J. Quantum Electronics 57, 2600107(2021).
• 中村亘志, 山口秀雄, 深草雅春, 永井秀一, 能崎信一郎, 菱田光起, 市橋宏基, 瀧川信一, 古賀稔浩, 片山琢磨, ”波長合成技術を用いた高ビーム品質GaN系ダイレクトダイオードレーザー加工”, レーザー加工学会誌 28, 175(2021).
• S.Nozaki, M.Kawaguchi, T.Nibu, H.Hagino, A.Mochida, T.Kano, S.Takigawa, T.Katayama, T.Tanaka and K.Oomori, ""A High Power InGaN Laser Array with Built-in Smile Suppression Structure"", Proc. Int. Soc. for Optics and Photonics(SPIE), 11262(2020).
• 中村亘志, 持田篤範, 萩野裕幸, 能崎信一郎, 川口真生, 大森弘治, 吉田隆幸, 瀧川信一, 片山琢磨, 田中毅, ”ダイレクトダイオードレーザー加工に向けた高出力GaN系半導体レーザーの開発”, レーザー研究 47, 204(2019).

• K.Mihara, K.Hanatani, T.Ishida, K.Komaki, R.Takayama and T.Katayama, ""High Driving Frequency(>54kHz) and Wide Scanning Angle(>100Degrees) MEMS Mirror Applying Secondary Resonance for 2K Resolution AR/MR Glasses"", Proc. IEEE Int. Conf. on Micro Electro Mechanical Systems(MEMS), 477(2022).
• T.Ishida, K.Komaki, T.Harigai, R.Takayama and T.Katayama, ""Wide Angle and High Frequency (>120Degrees@10kHz / >90Degrees@30kHz) Resonant Si-MEMS Mirror using a Novel Tuning-Fork Driving"", Proc. IEEE Int. Conf. on Micro Electro Mechanical Systems(MEMS), 527(2020).

• T.Katayama, M.Shimizu and T.Shiosaki, ""Effects of Growth Rate on Properties of Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films Grown by Chemical Vapor Deposition"", Jpn., J. Appl. Phys. 32, 5062(1993).
• T.Katayama, M.Shimizu and T.Shiosaki, ""Switching Kinetics of Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films Grown by Chemical Vapor Deposition"", Jpn., J. Appl. Phys. 32, 3943(1993).
• T.Katayama, M.Sugiyama, M.Shimizu and T.Shiosaki, ""Growth of Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films by Photoenhanced Chemical Vapor Deposition and Their Properties"", Jpn., J. Appl. Phys. 31, 3005(1992).
• T.Katayama, M.Fujimoto, M.Shimizu and T.Shiosaki, ""Photo-MOCVD of PbTiO3 Thin Films "", J. Cryst. Growth, 115 289(1991).

Misc

• 萩野裕幸, 能崎信一郎, 持田篤範, 川口真生, 片山琢磨, 田中毅, ”高出力・高ビーム品質窒化物半導体レーザー"", Optronics 40, no.472, 84(2021).

• 片山琢磨, ”高精細化・高開口率化が進む高温Poly-Si TFT"", LCD Intelligence 1997年11月号, 93(1997).
• 片山琢磨, 加藤剛久, 江本文昭, 清水裕一, ”プロジェクションディスプレイ用ポリシリコンTFT液晶パネル"", National Tech. Report 42, 330(1996).

講演・口頭発表等

• 萩野裕幸, 大野啓, 川口真生, 持田篤範, 狩野隆司, 丹生貴大, 能崎信一郎, 瀧川信一, 古賀稔浩, 片山琢磨, 田中毅, ”Cu加工用高出力InGaN端面出射レーザの横モード制御"", レーザー学会学術講演会 第43回年次大会, (2023).
• 能崎信一郎, 瀧川信一, 片山琢磨, 田中毅, ”高出力青色半導体レーザーアレイの開発"", 溶接学会2021年度春季全国大会フォーラム, (2021).
• H.Hagino, M.Kawaguchi, T.Nibu, S.Nozaki, A.Mochida, T.Kano, S.Takigawa, T.Katayama and T.Tanaka, ""High-Power Operation of Beam-Quality-Improved InGaN Lasers with Lateral Corrugated Waveguides"", IEEE Photonics Conf., TuD 3.2(2020).
• S.Nozaki, M.Kawaguchi, T.Nibu, H.Hagino, A.Mochida, T.Kano, S.Takigawa, T.Katayama, T.Tanaka and K.Oomori, ""A High Power InGaN Laser Array with Built-in Smile Suppression Structure"", Int. Soc. for Optics and Photonics(SPIE) Photonic West 2020, 11262-60S-1(2020).
• 片山琢磨, ”GaN系半導体レーザーの技術と応用"", NEDO 次世代レーザー技術シンポジウム(2015).
• 片山琢磨, ”半導体レーザーを用いた照明光源技術"", レーザー学会 学術講演会 第35回年次大会(2015).
• 片山琢磨, 山中一彦, 森本簾, 左文字克哉, 奥山浩二郎, 白石誠吾, ”高出力青紫色レーザを用いた蛍光体白色光源"", 応用物理学会/日本光学会共催 第15回レーザーディスプレイ技術研究会(2014).
• M.Kawaguchi, O.Imafuji, K.Nagamatsu, K.Yamanaka, S.Takigawa and T.Katayama, ""Design and Lasing Characteristics of GaN Vertical Elongated Cavity Surface Emitting Lasers"", Int. Soc. for Optics and Photonics(SPIE) Photonic West 2014, 8986-54(2014).
• K.Morimoto, H.Kasugai, T.Takizawa, S.Yoshida, K.Yamanaka, T.Katayama, K.Okuyama, S.Shiraishi and Y.Mizuyama, ""A 30W Pure-Blue Emission with NUV Laser-Diode-Pumped Phosphor for High Brightness Projectors"", Soc. for Information Display(SID) Int. Symp. 2013, 60-2(2013) .

• K.Mihara, K.Hanatani, T.Ishida, K.Komaki, R.Takayama and T.Katayama, ""High Driving Frequency(>54kHz) and Wide Scanning Angle(>100Degrees) MEMS Mirror Applying Secondary Resonance for 2K Resolution AR/MR Glasses"", The 35th IEEE Int. Conf. on Micro Electro Mechanical Systems(MEMS2022), 609-b(2022).
• T.Ishida, K.Komaki, T.Harigai, R.Takayama and T.Katayama, ""Wide Angle and High Frequency (>120Degrees@10kHz / >90Degrees@30kHz) Resonant Si-MEMS Mirror using a Novel Tuning-Fork Driving"", The 33th IEEE Int. Conf. on Micro Electro Mechanical Systems(MEMS2020), M-064(2020).

競争的資金等の研究課題

• 国立研究開発所法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）""高輝度・高効率次世代レーザー技術開発"", 研究開発項目⑤「短波長レーザーによる加工技術の開発」, （１）「高効率加工用 GaN 系高出力・高ビーム品質半導体レーザーの開発」（2016年度～2020年度）.
• 国立研究開発所法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO） ""戦略的省エネルギー技術革新プログラム"", 実用化開発「高効率スポット照明用レーザ光源の開発」（2014年度～2016年度）.

メディア報道

• パナソニックインダストリー株式会社プレスリリース, ”人工嗅覚センサを介した呼気センシングによる個人認証―化学情報による偽造できない生体認証技術実現へ期待―"", 2022年5月20日.

• パナソニック株式会社プレスリリース, ”NEDOの事業成果を集約したプラットフォームを構築ーレーザー光源や加工機を連携させ、最適な加工条件を探索ー"", 2021年2月22日.
• パナソニック株式会社プレスリリース, ”高出力青色ダイレクトダイオードレーザの波長合成技術を開発"", 2020年1月29日.
• パナソニック株式会社プレスリリース, ”世界初、連続発振4.5Wの高出力青紫半導体レーザを開発"", 2015年9月29日."